1. 发光区间

   依靠量子限域效应，调控 ZnSe 核尺寸：

   紫光～蓝光发射：390 ~ 440 nm（无镉蓝光量子点主力体系）
   
2. 荧光量子产率 PLQY

• 裸 ZnSe 核：通常＜20%，大量表面缺陷造成非辐射复合

• ZnS 壳包覆（1~3 个单分子层 ML ）：PLQY 60%~85%；壳太厚会增大界面应力、引发合金化，性能回落

3. 峰宽 FWHM

   高质量热注入样品：16–25 nm，色纯度优良

4. 斯托克斯位移 & 荧光寿命

   斯托克斯位移较小；荧光寿命一般10–30 ns，双指数衰减（激子发光 + 少量表面缺陷态）

5. 壳生长光谱变化

   沉积 ZnS 壳时：第一激子吸收峰、PL 峰轻微红移（激子波函数向壳层渗透）；同时荧光显著增强。

界面问题：长时间高温壳生长容易出现ZnSeₓS₁₋ₓ合金过渡层，可调控但过度合金化会展宽发光峰。

三、主流合成路线（油相高温合成）

高温热注入法（Hot-injection）

1. 制备 ZnSe 核：Zn 前驱体（油酸锌）、Se 前驱体（TOP-Se）高温成核生长；提纯

2. SILAR 逐层离子吸附法生长 ZnS 壳

   低温缓慢交替注入 Zn 源（油酸锌）、S 源（正辛硫醇 / TOP-S），避免新晶核生成；

3. 乙醇 / 丙酮沉降提纯，重溶于氯仿 / 甲苯得到油溶性 ZnSe/ZnS。

四、优势 & 短板（对比 CdSe/ZnS、InP 量子点）

 优势

1. 无镉 Cd-free，符合 RoHS、REACH 环保规范；生物毒性远低于镉系量子点

2. 天然适合蓝光 / 紫光：弥补 InP 量子点蓝光效率偏低的短板，是 QLED 无镉蓝光热门材料

3. 相比裸 ZnSe：ZnS 壳隔绝氧气、水，抗光漂白、光稳定性大幅提升

4. 吸收延伸至紫外区，适合紫外光敏、三重态敏化应用

 短板

1. 发光仅限蓝紫光，无法覆盖绿、红波段；应用光谱受限

2. 相比 CdSe 蓝光量子点：最高 PLQY 仍存在差距，器件稳定性有待进一步优化

3. 合成窗口窄，高质量窄分布样品合成难度高于 Cd 系

4. 空穴注入势垒较高，蓝光 QLED 器件电荷平衡较难调控

五、典型应用（油溶性体系优先场景）

1. 蓝光无镉 QLED 发光二极管（目前最核心方向）

2. 光增益、激光、微腔发光材料（有机溶剂旋涂制备发光膜）

3. 有机相三重态 - 三重态湮灭上转换（TTA-UC）光敏剂

4. 紫外 - 蓝区荧光标记（非水相体系；如需细胞成像必须配体交换转为水溶性）

5. 光电探测、量子点光敏体系、非线性光学研究